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CREATEK
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CREATEK Microelectronics成立于2009年,主要从事IGBT,保护器件,等功率半导体的设计,制造和销售,并提供相关的应用解决方案。销售中心在深圳,上海,苏州,台湾,新加坡,北美


一、保护器件

ESD / TVS 产品

当今的电子设备中,静电保护(ESD)对于保障严酷瞬变环境下系统的稳健性至关重要。Createk提供多种TVS(瞬变电压抑制)二极管,以从系统层面保护电子设备。

不断地扩大芯片级封装的TVS二极管系列,力求在超小型封装内,以极具竞争力的价格提供一流的保护性能,同时质量水平高,性能稳健。

具有超低结电容的ESD及大功率TVS产品组合,电压3.3V~600V、功率最高30kW


TVS首要选择参数:

CL 寄生电容对高速和射频应用非常重要,对通用和低速应用而言较为次要。

VWM 最高工作电压必须大于或等于被保护导线上的信号在指定的操作期间的最 高电压(参见图6)。常见防护器件的VWM一般与系统标准以及I/O电压(VIO Vbus)相匹 配,例如2.1 V、3.3 V、5 V

Vcl 嵌位电压对防护性能最为重要的指标。对于给定的冲击级别(ITLP IPP1)Vcl

必须低于IC的失效电压(如果预知的话),否则越低越好。






应用市场

以上产品应用领域;适用于智能穿戴设备,指纹识别模块,安防网络,机顶盒,智能音箱,车载产品,消费电子等市场。





二、功率器件


IGBT 产品:

Create在不同电压电流级别提供了全面的产品组合,包括芯片、单管、功率模块和组件等提供了多种IGBT产品系列。这些IGBT广泛应用于激光焊接工业加热、工业和消费类领域。在正向和阻断状态下,我们的IGBT功率损耗极低,仅需低驱动功率便可发挥高效率。IGBT可承受电压高达6.5 kV,工作频率为2 kHz 至 50 kHz。

借助广泛的技术组合优势,IGBT的设计具有出色的电流承载能力和更高的脉冲负载能力,可实现超低功耗。

模块化,RDS(ON),高电压,高电流,600V~1400V,20-1200A


20-60 ) KHz


型号

封装

VCES

lc

(A)

VCE

VGE(th)

Eon

Eoff



(V)

25

100

(sat)

(V)

m J

m J

GPU40HF120D1

D1(34mm)

1200

80

40

3.2

4.5-5.7

2.05

0.97

GPU50HF12001

D1(34mm)

1200

100

50

3.3

4.5-5.7

2.65

1.15

GPU75HF120D1

D1(34mm)

1200

150

75

3.3

4.5-5.7

3.75

2.10

GPU100HF12001

D1(34mm)

1200

200

100

3.2

4.5-5.7

8.15

2.85

GPU150HF12002

D2(62mm)

1200

300

150

3.2

4.55.7

15.00

10.05

GPU200HF12002

D2(62mm)

1200

400

200

3.2

4.5-5.7

19.00

13.15

GPU300HF12002

D2(62mm)

1200

600

300

3.2

4.5-5.7

38.00

31.00

GPU400SG120D2

D2(62mm)

1200

800

400

3.2

4.5-5.7 5.7

47.50

34.50

GPU600SG12002

D2(62mm)

1200

1200

600

3.2

4.5-5.7

65.00

45.00



10-20 ) KHz


型号

封装

VCES

Ic(

A)

VCE

VGE(th)

Eon

Eoff



(V)

25

100

(sat)

(V)

m J

m J

GPU75HF12001 SE

D1(34mm)

1200

150

75

2.3

4.5-5.7

4.75

1.65

GPU100HF12001SE

D1(34mm)

1200

200

100

2.3

4.5-5.7

7.20

3.50

GPU150HF120D2SE

D2(62mm)

1200

300

150

2.3

4.5-5.7

13.00

9.00

GPU200HF12002SE

D2(62mm)

1200

400

200

2.3

4.5-5.7

15.00

10.05

GPU300HF120D2SE

D2(62mm)

1200

600

300

2.3

4.5-5.7

38.00

31.00

GPU400SG12002SE

D2(62mm)

1200

800

400

2.3

4.5-5.7

47.50

34.50

GPU600SG12002SE

D2(62mm)

1200

1200

600

2.3

4.5-5.7

65.00

45.00



应用 1-10) KHz


型号

封装

VCES

Ic

(A)

VCE

VGE(th)

Eon

Eoff



(V)

25

100

(sat)

(V)

m J

m J

GPK50HF120D1

D1(34mm)

1200

100

50

2.1

4.5-5.7

2.60

3.30

GPK75HF12001

D1(34mm)

1200

150

75

2.1

4.5-5.7

6.50

5.50

GPK1OOHF12001

D1(34mm)

1200

200

100

2.1

4.5-5.7

10.75

8.20

GPK150HF12002

D2(62mm)

1200

300

150

2.1

4.5-5.7

19.00

12.50

GPK200HF12002

D2(62mm)

1200

400

200

2.1

4.5-5.7

23.00

19.00

GPK300HF12002

D2(62mm)

1200

600

300

2.1

4.5-5.7 5.7

45.00

31.00

GPK400SG12002

D2(62mm)

1200

800

400

2.1

4.5-5.7

58.00

41.00

GPK600SG12002

D2(62mm)

1200

1200

600

2.1

4.5-5.7

88.00

55.00


低损应用 1-10) KHz


型号

封装

VCES

Ic

(A)

VCE

VGE(th)

Eon

Eoff



(V)

25

100

(sat)

(V)

m J

m J

GSK50HF12001

D1(34mm)

1200

100

50

1.8

4.5-5.7

2.21

2.15

GSK75HF12001

D1(34mm)

1200

150

75

1.8

4.5-5.7

5.53

3.30

GSK1OOHF12001

D1(34mm)

1200

200

100

1.8

4.5-5.7

9.14

4.92

GSK150HF12002

D2(62mm)

1200

300

150

1.8

4.5-5.7 5.7

16.15

8.13

GSK200HF12002

D2(62mm)

1200

400

200

1.8

4.5-5.7

19.55

11.40

GSK300HF12002

D2(62mm)

1200

600

300

1.8

4.5-5.7

38.25

20.15

GSK400SG12002

D2(62mm)

1200

800

400

1.8

4.5-5.7

49.30

24.60

GSK600SG12002

D2(62mm)

1200

1200

600

1.8

4.5-5.7

74.80

35.75



应用市场:

以上产品应用领域;适用于激光焊接,逆变器,伺服器,电源,网通,消费电子等市场



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